一种阵列式硅片装载靶盘制造技术

本发明专利技术涉及一种太阳能光伏装备，具体为一种阵列式硅片装载靶盘，包括带外框体的支撑台和支撑台上方安装的N个呈水平阵列式排列的静电吸附盘，硅片装载靶盘还包括设在支撑台下凹空间内的硅片顶架，硅片顶架包括用于支撑硅片的顶架框，并在支撑台下方设有控制硅片顶架上下运动的顶架驱动机构；所述硅片顶架的顶架框上设有与对应静电吸附盘连接的定位连接机构。通过本发明专利技术的阵列式硅片装载靶盘，可以在有限的空间内装载多个硅片同时进行工艺处理，提高生产效率，独立吸盘可以更稳定可靠吸持硅片，还可降低硅片的温度，维持硅片在一定温度范围内，满足工艺要求，特别适合高真空洁净环境中的硅片工艺处理。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列式硅片装载靶盘
本专利技术涉及一种太阳能光伏装备，具体为一种阵列式硅片装载靶盘，特别适合太阳能工艺用离子注入机。
技术介绍
近年来，工艺人员通过研究发现，利用离子掺杂技术替代传统太阳能电池片制造流程中的扩散、等离子刻蚀以及二次清洗等工艺，可以生产出更高转化效率的太阳能电池片。太阳能工艺用离子注入机可以实现太阳能电池片的离子掺杂，是发展高效电池片的一种新型装备。太阳能工艺用离子注入机需要解决的关键问题之一是要能够实现多个硅片同时进行工艺处理，否则无法满足生产效率的要求。除此之外，由于离子注入工艺需要在洁净的高真空环境中进行，而且在工艺过程中硅片温度需要控制在一定范围内，因此硅片吸附机构不仅需要实现无污染吸持，而且能够维持一定的冷却效果。虽然现有的应用于半导体制造工艺的离子注入技术已经非常成熟，但是现有的硅片装载靶盘均无法满足上述要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种阵列式硅片装载靶盘，能够有效实现多个硅片的同时装载，并能冷却硅片，控制硅片温度在一定范围内，满足离子注入工艺的工艺要求。本专利技术的技术方案为，一种阵列式硅片装载靶盘，包括带外框体的支撑台和支撑台上方安装的N个呈水平阵列式排列的静电吸附盘， 所述硅片装载靶盘还包括设在支撑台下凹空间内的硅片顶架，硅片顶架包括用于支撑硅片的顶架框，并在支撑台下方设有控制硅片顶架上下运动的顶架驱动机构； 所述硅片顶架的顶架框上设有与对应静电吸附盘连接的定位连接机构； 所述静电吸附盘内设有静电吸附盘冷却液循环流道，静电吸附盘的底面设有向静电吸附盘冷却液循环流道内通入冷却液的第二进液口、从静电吸附盘冷却液循环流道内排出冷却液的第二出液口； 所述支撑台内设有支撑台冷却液进液流道和支撑台冷却液出液流道，每个第二进液口下方的支撑台冷却液进液流道上对应设有一个第一进液口，每个第二出液口下方的支撑台冷却液出液流道上对应设有一个第一出液口；所述第二进液口与对应的第一进液口连接，而第二出液口与对应的第一出液口连接。静电吸附盘采用静电吸附原理吸片实现无污染吸持，每个所述静电吸附盘有独立的供电插座，静电吸附盘的外表面形状、大小与需要装载的太阳能硅片相近；为了实现多个硅片的同时装载，将置于支撑台上的静电吸附盘阵列式排列，并且在同一平面上；硅片顶架的顶柱可以穿过设在静电吸附盘外周的缺口 ；由于硅片顶架可在顶架驱动机构的控制下上下运动，可在装载硅片的时候将硅片顶架上升或下降，将硅片从静电吸附盘托起或将硅片降落到静电吸附盘上；本专利技术采用冷却液在静电吸附盘内进行循环冷却，进而可对静电吸附盘上的硅片进行冷却，达到较好的冷却效果，冷却液可选用水。第一进液口、第一出液口可分别设在第二进液口、第二出液口的正下方，便于二者的连接。所述支撑台内还设有支撑台气循环流道，静电吸附盘中设有上下导通的多个通气孔，每个静电吸附盘下方的支撑台气循环流道上对应设有向静电吸附盘的通气孔中通入冷却气体的气冷孔。本专利技术除了可以采用冷却液进行冷却，也可以结合冷却气共同对静电吸附盘冷却，冷却效果好且冷却速度快。所述第一进液口、第一出液口和气冷孔均从支撑台的底面向上凸起，且第一进液口、第一出液口和气冷孔的顶面在同一平面，第一进液口、第一出液口和气冷孔向上凸起，保证可与静电吸附盘的底面接触，使第一进液口与第二进液口、第一出液口与第二出液口对准或靠近，第一进液口、第一出液口和气冷孔的顶面在同一平面，保证向上凸起的顶面与静电吸附盘的底面接触。与同一个静电吸附盘中的第二进液口、第二出液口、通气孔对应或连接的的第一进液口、第一出液口、气冷孔呈T形排列，使结构更加优化。所述静电吸附盘冷却液循环流道在静电吸附盘内呈环形，确保对静电吸附盘的冷却效果。所述静电吸附盘上的通气孔均匀分布在静电吸附盘内周，可均匀的对静电吸附盘进行气体冷却。所述第一进液口与对应的第二进液口、第一出液口与对应的第二出液口分别通过密封圈密封，防止冷却液的外流。所述N=6，6个静电吸附盘呈三排两列排列，也可以采用8个静电吸附盘两排四列式的排列、9个静电吸附盘三排三列式的排列。所述定位连接机构包括设在顶架框顶面的顶柱、与每个顶柱对应的设在静电吸附盘外周的缺口，确保设在顶架框顶面的顶柱可穿过与每个顶柱对应的设在静电吸附盘外周的缺口，顶柱以顶架框的中心对称设置，顶柱穿过缺口，同时将静电吸附盘与对应的支撑台定位，于是当硅片顶架上升时，6组顶柱可将6个静电吸附盘上的6个硅片全部托起。所述顶架驱动机构包括电机、底端与电机输出轴连接的丝杆、与丝杆的顶端连接的直线导向块，所述直线导向块与硅片顶架的中心梁连接。支撑台的一端还装有给静电吸附盘供电的配电模块，配电模块的主要作用是将外部供电分成若干个供电线路，分别给每个静电吸附盘供电。与现有技术相比，本专利技术的有益结果是:通过本专利技术的阵列式硅片装载靶盘，可以在有限的空间内装载多个硅片同时进行工艺处理，提高生产效率，独立吸盘可以更稳定可靠吸持硅片，还可降低硅片的温度，维持硅片在一定温度范围内，满足工艺要求，特别适合高真空洁净环境中的硅片工艺处理。【附图说明】图1为本专利技术一种实施例的结构主视图； 图2为图1的结构俯视图； 图3为娃片顶架的结构意图； 图4为支撑台的结构示意图； 图5为静电吸附盘的结构示意图。【具体实施方式】如图1、图2所示，一种阵列式硅片装载靶盘，包括带外框体14的支撑台2、支撑台2上方安装的6个呈水平阵列式排列的静电吸附盘1，支撑台2下方的配电模块5。如图3所示，硅片装载靶盘还包括设在支撑台2下凹空间内的硅片顶架3，硅片顶架3包括用于支撑静电吸附盘I的顶架框7，并在支撑台2下方设有控制硅片顶架3上下运动的顶架驱动机构4 ;硅片顶架3的顶架框7上设有与对应静电吸附盘I连接的定位连接机构；定位连接机构包括设在顶架框7顶面的18个顶柱6、与每个顶柱6对应的设在静电吸附盘I外周的缺口 11 ;可将设在顶架框7顶面的18个顶柱6穿过与每个顶柱6对应的设在静电吸附盘I外周的缺口 11。如图5所示，静电吸附盘I内设有静电吸附盘冷却液循环流道13，静电吸附盘I的底面设有向静电吸附盘冷却液循环流道13内通入冷却液的第二进液口 15、从静电吸附盘冷却液循环流道13内排出冷却液的第二出液口 16 ;静电吸附盘冷却液循环流道13在静电吸附盘I内呈环形。如图4所示，支撑台2内设有支撑台冷却液进液流道和支撑台冷却液出液流道，每个第二进液口 15下方的支撑台冷却液进液流道上对应设有一个第一进液口 8，每个第二出液口 16下方的支撑台冷却液出液流道上对应设有一个第一出液口 9 ;所述第二进液口 15与对应的第一进液口 8连接，而第二出液口 16与对应的第一出液口 9连接。支撑台2内还设有支撑台气循环流道，静电吸附盘I中设有上下导通的多个通气孔12，每个静电吸附盘I下方的支撑台气循环流道上对应设有向静电吸附盘的通气孔12中通入冷却气体的气冷孔10 ;静电吸附盘I上的通气孔12均匀分布在静电吸附盘I内周。第一进液口 8、第一出液口 9和气冷孔10均从支撑台2的底面向上凸起，且第一进液口 8、第一出液口 9和气冷孔10的顶面在同一平面。与同一个静电吸附盘I中的第二进液口 15、第二出液口 16、通气孔对应或连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列式硅片装载靶盘，包括带外框体（14）的支撑台（2）和支撑台（2）上方安装的N个呈水平阵列式排列的静电吸附盘（1），其特征是，所述硅片装载靶盘还包括设在支撑台（2）下凹空间内的硅片顶架（3），硅片顶架包括用于支撑硅片的顶架框（7），并在支撑台（2）下方设有控制硅片顶架（3）上下运动的顶架驱动机构（4）；所述硅片顶架（3）的顶架框（7）上设有与对应静电吸附盘（1）连接的定位连接机构；????所述静电吸附盘（1）内设有静电吸附盘冷却液循环流道（13），静电吸附盘（1）的底面设有向静电吸附盘冷却液循环流道（13）内通入冷却液的第二进液口（15）、从静电吸附盘冷却液循环流道（13）内排出冷却液的第二出液口（16）；所述支撑台（2）内设有支撑台冷却液进液流道和支撑台冷却液出液流道，每个第二进液口（15）下方的支撑台冷却液进液流道上对应设有一个第一进液口（8），每个第二出液口（16）下方的支撑台冷却液出液流道上对应设有一个第一出液口（9）；所述第二进液口（15）与对应的第一进液口（8）连接，而第二出液口（16）与对应的第一出液口（9）连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列式硅片装载靶盘，包括带外框体(14)的支撑台(2)和支撑台(2)上方安装的N个呈水平阵列式排列的静电吸附盘(1)，其特征是， 所述硅片装载靶盘还包括设在支撑台(2)下凹空间内的硅片顶架(3)，硅片顶架包括用于支撑硅片的顶架框(7 )，并在支撑台(2 )下方设有控制硅片顶架(3 )上下运动的顶架驱动机构(4); 所述硅片顶架(3)的顶架框(7)上设有与对应静电吸附盘(I)连接的定位连接机构； 所述静电吸附盘(I)内设有静电吸附盘冷却液循环流道(13)，静电吸附盘(I)的底面设有向静电吸附盘冷却液循环流道(13)内通入冷却液的第二进液口(15)、从静电吸附盘冷却液循环流道(13)内排出冷却液的第二出液口(16)； 所述支撑台(2)内设有支撑台冷却液进液流道和支撑台冷却液出液流道，每个第二进液口(15)下方的支撑台冷却液进液流道上对应设有一个第一进液口(8)，每个第二出液口(16)下方的支撑台冷却液出液流道上对应设有一个第一出液口(9)； 所述第二进液口(15)与对应的第一进液口(8)连接，而第二出液口(16)与对应的第一出液口(9)连接。2.根据权利要求1所述阵列式硅片装载靶盘，其特征是，所述支撑台(2)内还设有支撑台气循环流道，静电吸附盘(I)中设有上下导通的多个通气孔(12)，每个静电吸附盘(I)下方的支撑台气循环流道...

【专利技术属性】
技术研发人员：许波涛，易文杰，孙雪平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：