密封结构、反应腔室和半导体处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种密封结构、反应腔室和半导体处理设备，涉及半导体设备领域，现有密封圈受热容易损坏失效的问题。本实用新型专利技术一种密封结构，包括通过密封圈密封的第一结构与第二结构，还包括密封圈冷却结构，所述密封圈冷却结构包括：风冷输气管和风冷导气孔；所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通，另一端形成多个风冷出气口，所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。冷却气体通过风冷输气管导入，经风冷导气孔流向密封圈，对密封圈进行冷却。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
密封结构、反应腔室和半导体处理设备
本技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种密封结构以及设置有该密封结构的反应腔室和半导体处理设备。
技术介绍
MOCVD (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)设备一般包括反应腔室、气体输运系统、尾气处理系统、控制系统、基片传输系统等。其中，反应腔室是MOCVD设备最核心的硬件，也是MOCVD设备设计中研究较多的领域。现有MOCVD反应腔室的基本结构如图1所示，由进气系统1、保温层2、石墨托盘3、托盘旋转系统4、带孔石墨筒5、感应加热线圈6、保温石英筒7、密封圈8、排气口 9、反应腔上盖10、反应腔基座11、冷却水槽12和磁流体13构成。载气携带金属有机气体由进气系统I导入，顺箭头方向经石墨托盘3中心部支撑环，到达石墨托盘3，与石墨托盘3上的衬底片表面反应沉积后，再穿过带孔石墨筒5的孔洞由下部排气口 9排出。感应加热线圈6设置在反应腔外面，对带孔石墨筒5、石墨托盘3及其上的衬底片加热，在反应腔内形成一热场。此热场配合托盘旋转系统4使衬底片获得较好的温度均匀性，最终使衬底获得良好的工艺效果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封结构，包括密封圈，通过密封圈密封的第一结构与第二结构，其特征在于，还包括密封圈冷却结构，所述密封圈冷却结构包括：风冷输气管和风冷导气孔；所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通，另一端形成多个风冷出气口，所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。

【技术特征摘要】
1.一种密封结构，包括密封圈，通过密封圈密封的第一结构与第二结构，其特征在于， 还包括密封圈冷却结构， 所述密封圈冷却结构包括:风冷输气管和风冷导气孔；所述风冷导气孔的一端与所述风冷输气管相导通，另一端形成多个风冷出气口，所述风冷出气口的位置位于所述密封圈内侧。2.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于， 所述多个风冷出气口沿所述密封圈等间距分布。3.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封圈冷却结构还包括水冷槽，所述水冷槽的位置位于所述密封圈外侧。4.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封圈冷却结构还包括: 一个或多个隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：党志泉，周卫国，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：