【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请基于2012年7月31日提交的在先日本专利申请N0.2012-170281并且要求其优先权，在此通过引用将其全部内容并入本文。
这里描述的实施例总体上涉及一种。
技术介绍
在晶体管中，减小导通电阻和增大击穿电压是很重要的。在基于复合半导体的晶体管中，使得器件最小化以减小导通电阻。另一方面，器件最小化有可能使得导致击穿电压的减小。为了确保击穿电压，调整pn结部分中的杂质浓度。然而，用于调整的杂质浓度可能减小沟道迁移率。这导致了特性恶化，例如开关速度的减小。在晶体管中，期望特性的改善和稳定。【附图说明】图1是示出了根据第一实施例的晶体管的配置的示意截面图；图2A至2C示出了基极区；图3是示出了用于制造晶体管的方法的流程图；以及图4A至6B是示出了用于制造晶体管的方法的具体示例的示意截面图。
技术实现思路
大体上，根据一个实施例，一种晶体管，包括:结构体，包括第一导电类型的第一半导体区、设置在所述第一半导体区上的第二导电类型的第二半导体区、以及设置在所述第二半导体区上的所述第一导电类型的第三半导体区，所述结构体包括具有第一元素和第二元素的...
【技术保护点】
一种晶体管，包括：结构体，包括第一导电类型的第一半导体区、设置在所述第一半导体区上的第二导电类型的第二半导体区、以及设置在所述第二半导体区上的所述第一导电类型的第三半导体区，所述结构体包括具有第一元素和第二元素的复合半导体；设置在所述第二半导体区上的绝缘膜；设置在所述绝缘膜上的控制电极；与所述第三半导体区电连续的第一电极；以及与所述第一半导体区电连续的第二电极，所述结构体具有设置在所述第二半导体区的下端上的第一区域以及除了所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域是通过使得所述第二元素的气源的浓度与所述第一元素的气源的浓度的比率大于1.0形成的区域，并且所述第一区域中所述第一...
【技术特征摘要】
2012.07.31 JP 2012-1702811.一种晶体管，包括: 结构体，包括第一导电类型的第一半导体区、设置在所述第一半导体区上的第二导电类型的第二半导体区、以及设置在所述第二半导体区上的所述第一导电类型的第三半导体区，所述结构体包括具有第一元素和第二元素的复合半导体； 设置在所述第二半导体区上的绝缘膜； 设置在所述绝缘膜上的控制电极； 与所述第三半导体区电连续的第一电极；以及 与所述第一半导体区电连续的第二电极， 所述结构体具有设置在所述第二半导体区的下端上的第一区域以及除了所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域是通过使得所述第二元素的气源的浓度与所述第一元素的气源的浓度的比率大于1.0形成的区域，并且 所述第一区域中所述第一导电类型的杂质浓度高于所述第二区域中所述第一导电类型的杂质浓度。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中 所述第二区域是通过将 所述比率设置为1.0形成的区域，并且 所述第一区域是通过将所述比率设置为大于1.0且小于等于2.0形成的区域。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一元素的空位比所述第二元素的空位更可能与所述第二导电类型的杂质发生反应。4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一半导体区是通过外延生长形成的区域。5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区域是通过外延生长从所述第二区域连续形成的区域。6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第二半导体区的杂质浓度从上端至所述下端增大。7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述复合半导体是碳化硅。8.根据权利要求7所述的晶体管，其中所述第一元素是硅，并且所述第二元素是碳。9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述结构体的所述绝缘膜侧上的表面是碳化硅的(000-1)表面。10.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区域的厚度是所述第二半导体区的深度的一半或更小。11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区域的厚度厚于在所述第一半导体区的外延生长中生成的阶梯束结构的厚度。12.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区域的厚度为0.5微米或更小。13.一种用于制造晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：西尾让司，河野洋志，铃木拓马，清水达雄，四户孝，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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