【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2012年8月6日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0085905号韩国专利申请的权益,该申请的全部公开出于所有目的而通过引用包含于此。
下面的描述涉及一种,例如,涉及一种高电压装置或为了获得高性能逻辑而基于低电压装置的制造工艺实现的一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
在显示驱动集成电路(IC)的制造工艺过程中,通常在同一基底上同时实现诸如闪存的非易失性存储装置或具有其中嵌入有扬声器控制逻辑的音频编解码设备、低电压晶体管和高电压晶体管。对于相应的半导体装置所需要的高电压电平可能为至少IOV至几十伏。另一方面,正在减小逻辑装置需要的电压电平,从而使芯片的尺寸最小化并且从而得到高性能。因而,高电压晶体管组件需要的高电压与低电压晶体管组件需要的低电压之间的差继续增加。因此,制造集成电路并同时在同一基底中形成两个不同类型的晶体管是困难的。已经研发了基于逻辑工艺形成高电压器件或LDMOS的技术。这些技术允许实现高电压器件,而不需要额外的工艺。以这种方式形成的高电压NMOS器件可以包括单栅极氧化物层、栅电极和源极/漏极结。仅利用逻辑工艺中使用的工艺来制造高电压NMOS器件。然而,这些器件的高电压组件的性能却不是最佳的。例如,将厚的栅极氧化物层在这些器件中用作像在逻辑工艺中的栅极氧化物层时,得到高击穿电压(BVDss)特性,然而电流驱动能力降低,导通电阻增加。此外,当使用薄的栅极氧化物层时,电流驱动能力得到改善,但是高击穿电压值降低。
技术实现思路
在一个总体方面中,提供一种半导体装置, ...
【技术保护点】
一种半导体装置,所述半导体装置包括:P型阱区域和N型阱区域,形成在基底中;栅极绝缘层,具有非均匀的厚度并形成在P型阱区域和N型阱区域上;栅电极,形成在栅极绝缘层上;P型阱拾取区域,形成在P型阱区域中;以及场解除氧化物层,形成在栅电极与漏极区域之间的N型阱区域中。
【技术特征摘要】
2012.08.06 KR 10-2012-00859051.一种半导体装置,所述半导体装置包括: P型阱区域和N型阱区域,形成在基底中; 栅极绝缘层,具有非均匀的厚度并形成在P型阱区域和N型阱区域上; 栅电极,形成在栅极绝缘层上; P型阱拾取区域,形成在P型阱区域中;以及 场解除氧化物层,形成在栅电极与漏极区域之间的N型阱区域中。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,P型阱区域上的栅极绝缘层具有两种或更多种不同厚度的区域。3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,N型阱区域上的栅极绝缘层具有均匀的厚度。4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,N型阱区域上的栅极绝缘层具有两种或更多种不同厚度的区域。5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,P型阱区域上的栅极绝缘层具有均匀的厚度。6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,N型阱区域上的栅极绝缘层的一部分具有第一厚度,P型阱区域上的栅极绝缘层的一部分具有小于第一厚度的第二厚度。7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,栅极绝缘层的具有第一厚度的所述一部分与栅极绝缘层的具有第二厚度的所述一部分之间的界面设置在P型阱上。`8.如权利要求6所述的半导体装置,其中,栅极绝缘层的具有第一厚度的所述一部分与栅极绝缘层的具有第二厚度的所述一部分之间的界面设置在N型阱上。9.如权利要求1所述的半导体装置,所述半导体装置还包括: 源极区域,形成在P型阱区域中;以及 漏极区域,形成在N型阱区域中。10.如权利要求6所述的半导体装置,所述半导体装置还包括位于P型阱区域与N型阱区域之间的界面处的PN结区域。11.如权利要求10所述的半导体装置,其中,栅极绝缘层的具有第一厚度的所述一部分与栅极绝缘层的具有第二厚度的所述一部分之间的界面设置在PN结上。12.如权利要求1所述的半导体装置,所述半导体装置还包括P型阱区域中的低浓度N型掺杂区域。13.如权利要求1所述的半导体装置,其中,场解除氧化物层与栅电极和形成在栅电极的侧壁上的多个间隔件中的一个间隔件叠置。14.如权利要求1所述的半导体装置,其中,栅极绝缘层包括: 第一栅极绝缘层,形成在P型阱区域的一部分和N型阱区域上;以及 第二栅极绝缘层,形成在P型阱的其它部分上并具有比第一栅极绝缘层的厚度小的厚度。15.如权利要求1所述的半导体装置,其中,P型阱区域和N型阱区域包括倒退阱。16.如权利要求1所述的半导体装置,其中,栅极绝缘层包括氮氧化硅层。17.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体装置包括横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。18.—种制造半导体装置的方法,所述方法包括下述步骤: 在半导体装置的第一区域中形成横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件;以及 在半导体装置的第二区域中形成互补金属氧化物半导体器件, 其中,形成横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件的步骤包括: 形成场解除氧化物层、N型阱区域和P型阱区域; 在N型阱区域和P型阱区域上形成具有不同厚度的栅极绝缘层; 在栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:林敏奎,李桢焕,郑贰善,
申请(专利权)人:美格纳半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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