互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管制备技术领域，其可解决现有的互补式薄膜晶体管的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的有源层材料互相影响的问题。本发明专利技术的互补式薄膜晶体管的制备方法，包括：通过构图工艺，在基底上形成包括第一薄膜晶体管的有源层以及保护层的图形，且保护层至少位于第一薄膜晶体管的有源层上；通过构图工艺形成包括第二薄膜晶体管有源层的图形。本发明专利技术可用于各种电路和系统中。

【技术实现步骤摘要】
互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术属于薄膜晶体管制备
，具体涉及一种互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
每个互补式薄膜晶体管(CMOS TFT)包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，两个薄膜晶体管中一个为P型薄膜晶体管(PMOS TFT),另一个为N型薄膜晶体管(NM0STFT)，所以利用CMOS TFT可以实现PMOS TFT或NCMOS TFT难以实现的各种电路和系统。如图1所示，通常制备CMOS TFT的方法具体包括:步骤一、在基底I形成包括第一薄膜晶体管栅极12和第二薄膜晶体管栅极22的栅极金属层的图形，且第一薄膜晶体管的栅极12和第二薄膜晶体管的栅极22是电连接在一起的；步骤二、在完成上述步骤的基底I上形成栅极绝缘层3 ；步骤三、在完成上述步骤的基底I上，形成包括第一薄膜晶体管有源层4的图形；步骤四、在完成上述步骤的基底I上，形成包括第二薄膜晶体管有源层5的图形；步骤五、在完成上述步骤的基底I上，形成刻蚀阻挡层6，并刻蚀该层形成用于第一薄膜晶体管源极71、漏极72和第二薄膜晶体管源极81、漏极82分别与各自有源区接触的源漏接触区；步骤六、在完成上述步骤的基底I上，形成包括第一薄膜晶体管的源极71、漏极72，第二薄膜晶体管的源极81、漏极82的源漏金属层的图形，其中第一薄膜晶体管的漏极72和第二薄膜晶体管的源极81相邻并电连接。上述步骤是以制备底栅型第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为例的，制备顶栅型的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管与上述方法的区别主要是先制备有源层，再制备栅极2，在此就不重复追述了。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:第一薄膜晶体管有源层4制备完成后，在制备第二薄膜晶体管有源层5时，由于第一薄膜晶体管有源层4的材料与第二薄膜晶体管有源层5的材料不同，会对已经形成的第一薄膜晶体管有源层4的材料产生影响，具体地说，在形成第一薄膜晶体管的有源层4后沉积的第二薄膜晶体管有源层薄膜会与第一薄膜晶体管有源层4接触，即使刻蚀掉第一薄膜晶体管有源层4上方的第二薄膜晶体管有源层5材料同样还是会对第一薄膜晶管有源层4材料性能造成影响，第二薄膜晶体管的有源层5材料的处理方式，如等离子处理、掺杂改性等高能过程会导致等离子体轰击损伤，不同气氛退火等处理方式也会影响器件性能，导致CMOS TFT特性劣化，如阈值电压、亚阈值摆幅、稳定性等退化。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的互补式薄膜晶体管存在的上述问题，提供一种性能稳定的互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种互补式薄膜晶体管的制备方法，包括:通过构图工艺，在基底上形成包括第一薄膜晶体管的有源层的图形，以及保护层的图形，且保护层至少位于第一薄膜晶体管有源层上；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二薄膜晶体管的有源层的图形。本专利技术的互补式薄膜晶体管的制备方法中，在第一薄膜晶体管有源层上设有保护层，可以有效的避免在制备第二薄膜晶体管有源层时，由于两薄膜晶体管有源层的材料不同，影响第一薄膜晶体管有源层的性能，进而可以提高互补式薄膜晶体管的性能。优选的是，所述在基底上形成第一薄膜晶体管有源层，以及保护层具体包括:在基底上依次沉积第一薄膜晶管有源层薄膜、保护层薄膜；在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺，同时形成包括第一薄膜晶体管有源层和保护层的图形。优选的是，所述在基底上形成第一薄膜晶体管有源层以及保护层具体包括:形成第一薄膜晶体管有源层薄膜；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一金属氧化物薄膜晶体管的有源层的图形；在完成上述步骤的基底上，形成保护层薄膜；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括保护层的图形。进一步优选的是，所述在形成包括保护层的图形之前还包括:通过等离子体改性或溅射掺杂处理形成的第一薄膜晶体管有源层的步骤；和/ 或，所述在形成第二薄膜晶体管的有源层之后还包括:通过等离子体改性或溅射掺杂处理形成的第二薄膜晶体管有源层的步骤。优选的是，所述第一薄膜晶体管有源层采用第一半导体材料形成，所述第二薄膜晶体管有源层采用第二半导体材料形成，其中，所述第一半导体材料为P型半导体材料且第二半导体材料为N型半导体材料，或者所述第一半导体材料为N型半导体材料且第二半导体材料为P型半导体材料。优选的是，所述制备方法还包括:在基底上形成包括第一薄膜晶体管栅极和第二薄膜晶体管栅极的栅极层图形；在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层。进一步优选的是，所述在形成包括第二薄膜晶体管有源层之后还包括:在基底上，形成刻蚀阻挡层，且形成贯穿刻所述刻蚀阻挡层、保护层，用于第一薄膜晶体管的源、漏极和第二薄膜晶体管的源、漏极分别与各自有源层接触的源、漏接触区；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管的源、漏极和第二薄膜晶体管的源、漏极的图形，且通过各自源、漏接触区与各自的有源层接触。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种互补式薄膜晶体管，所述互补式薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且第一薄膜晶体管的有源层上方设置保护层。本专利技术的互补式薄膜晶体管的第一薄膜晶体管有源层上方设置有保护层，从而可以避免第一薄膜晶体管有源层材料与第二薄膜晶体管有源层材料以及后续制备工艺的相互影响，进而可以提高互补式薄膜晶体管的性能。优选的是，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中，其中一个为P型薄膜晶体管，另一个为N型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管的有源层中掺杂有砷、锑、磷中任意一种或多种离子；所述P型薄膜晶体管的有源层中掺杂有硼、铟、镓中任意一种或多种离子。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括上述互补式薄膜晶体管。本专利技术的阵列基板包括上述互补式薄膜晶体管，故其性能更稳定。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板本专利技术的显示装置包括上述阵列基板，故其性能更稳定。【附图说明】图1为现有的互补式薄膜晶体管制备方法的流程图；图2为本专利技术的实施例1的互补式薄膜晶体管制备方法的流程图；图3为本专利技术的实施例2的互补式薄膜晶体管的结构图。其中附图标记为:1、基底；21、第一薄膜晶体管栅极；22、第二薄膜晶体管栅极；3、栅极绝缘层；4、第一薄膜晶体管有源层；5、第二薄膜晶体管有源层；6、刻蚀阻挡层；71第一薄膜晶体管源极；72、第一薄膜晶体管漏极；81、第二薄膜晶体管源极；82、第二薄膜晶体管漏极；9、保护层；10、钝化层；11、金属电极。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:如图2所示，本实施例提供一种互补式薄膜晶体管的制备方法，所述互补式薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且第一薄膜晶管和第二薄膜晶体管一个为P型薄膜晶体管，另一个为N型薄膜晶体管，也就是说，第一薄膜晶管为P型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管；或第一薄膜晶管为N型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。制备方法具体包括如下步骤:步骤一、在基底I上采用磁控溅射的方法沉积一层栅极金属层薄膜，通过构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成包括第一薄膜晶体管的有源层以及保护层的图形，且保护层至少位于第一薄膜晶体管的有源层上；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二薄膜晶体管的有源层的图形。

【技术特征摘要】
1.一种互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 形成包括第一薄膜晶体管的有源层以及保护层的图形，且保护层至少位于第一薄膜晶体管的有源层上； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二薄膜晶体管的有源层的图形。2.根据权利要求1所述的互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成包括第一薄膜晶体管有源层以及保护层具体包括: 在基底上依次沉积第一薄膜晶管有源层薄膜、保护层薄膜； 在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺，同时形成包括第一薄膜晶体管有源层和保护层的图形。3.根据权利要求1所述的互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成第一薄膜晶体管有源层以及保护层具体包括: 形成第一薄膜晶体管有源层薄膜； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一金属氧化物薄膜晶体管的有源层的图形； 在完成上述步骤的基底上，形成保护层薄膜； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括保护层的图形。4.根据权利要求3所 述的互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在形成包括保护层的图形之前还包括: 通过等离子体改性或溅射掺杂处理形成的第一薄膜晶体管的有源层的步骤； 和/或， 所述在形成第二薄膜晶体管的有源层之后还包括: 通过等离子体改性或溅射掺杂处理形成的第二薄膜晶体管有源层的步骤。5.根据权利要求1所述的互补式薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管有源层采用第一半导体材料形成，所述第二薄膜晶体管有源层采用第二半导体材料形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓娣，王刚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：