金属有机化合物外延生长反应室及其排气装置、排气方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种金属有机化合物外延生长反应室及其排气装置、排气方法，所述反应室包括一腔室，所述排气装置位于所述腔室的制程区域和排气区域之间，用于将制程冗余气体排出所述腔室，所述排气装置包括：第一排气环，其包括形成于其中的若干第一排气通道；位于所述第一排气环上方的第二排气环，其包括形成于其中的若干第二排气通道，其与所述若干第一排气通道相互流体连通；驱动装置，其连接于所述第一排气环和/或第二排气环，用于驱动所述第一排气环和/或第二排气环，以调整所述第一排气环和第二排气环在水平和/或竖直方向上的相对位置关系。本发明专利技术提供的排气装置能够精确快速有效地控制金属有机化合物外延生长反应室的制程冗余气体排放。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，所述反应室包括一腔室，所述排气装置位于所述腔室的制程区域和排气区域之间，用于将制程冗余气体排出所述腔室，所述排气装置包括：第一排气环，其包括形成于其中的若干第一排气通道；位于所述第一排气环上方的第二排气环，其包括形成于其中的若干第二排气通道，其与所述若干第一排气通道相互流体连通；驱动装置，其连接于所述第一排气环和/或第二排气环，用于驱动所述第一排气环和/或第二排气环，以调整所述第一排气环和第二排气环在水平和/或竖直方向上的相对位置关系。本专利技术提供的排气装置能够精确快速有效地控制金属有机化合物外延生长反应室的制程冗余气体排放。【专利说明】
本专利技术涉及化学气相沉积的加工系统，尤其涉及一种。
技术介绍
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反 应方式在衬底上进行气相外延，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。反应之后的制程冗余气体排放对于MOCVD装置意义重大，制程冗余气体排放的速度和/或流量直接影响着腔室内气压，因此间接地影响着MOCVD制程。此外，在MOCVD制程领域，不同的制程往往需要不同的排气量。此外，MOCVD在制程中一般使用大量排气，而在腔室清洁(plasma clean)阶段往往采用较小的排气量。因此，MOCVD机台往往需要不同排气流量中切换。因此，如何精确快速有效地控制金属有机化合物外延生长反应室的制程冗余气体排放是业内急待解决的问题之一。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本专利技术提出了一种用于金属有机化合物外延生长反应室的排气装置。本专利技术第一方面提供了一种用于金属有机化合物外延生长反应室的排气装置，其中，所述反应室包括一腔室，所述排气装置位于所述腔室的制程区域和排气区域之间，用于将制程冗余气体排出所述腔室，其特征在于:所述排气装置包括:第一排气环，其包括形成于其中的若干第一排气通道；位于所述第一排气环上方的第二排气环，其包括形成于其中的若干第二排气通道，所述若干第一排气通道与所述若干第二排气通道相互流体连通；以及驱动装置，其连接于所述第一排气环和/或第二排气环，用于驱动所述第一排气环和/或第二排气环，以调整所述第一排气环和第二排气环在水平和/或竖直方向上的相对位置关系。进一步地，在某一位置下，所述第一排气通道和第二排气通道在竖直方向上至少部分重叠。进一步地，在所述驱动装置驱动作用下，所述第一排气环和/或第二排气环在各自水平面上可以作相对旋转。进一步地，在所述驱动装置驱动作用下，所述第一排气环和/或第二排气环在竖直方向上可以作相对上下移动。进一步地，所述第二排气环包括一下表面，所述第一排气环包括一上表面，所述上表面和所述下表面相互贴合或相互间隔一距离。进一步地，所述排气装置还包括一控制装置，其预设有制程冗余气体排放的预设速度和/或预设流量，用于检测所述反应室的制程冗余气体排放的当前速度和/或当前流量，并将制程冗余气体排放的当前速度和/或当前流量和预设速度和/或预设流量分别比较，并根据比较结果来控制所述第一排气环和/或第二排气环的相对旋转和/或相对上下移动。进一步地，所述第一排气通道和第二排气通道包括孔或槽。进一步地，所述第一排气环和所述第二排气环的材料包括不锈钢或铝合金或陶瓷。进一步地，所述第一排气环和第二排气环的上下表面分别覆盖有阳极氧化层或钝化处理层。本专利技术第二方面提供了一种金属有机化合物外延生长反应室，其特征在于:所述反应室包括本专利技术第一方面所述的排气装置。本专利技术第三方面提供了一种金属有机化合物外延生长反应室的排气方法，其中，所述反应室包括本专利技术第一方面所述的排气装置，其特征在于:所述排气方法包括:在反应过程中，调节所述第一排气环和第二排气环在水平和/或竖直方向上的相对位置关系，以调节所述若干第一排气通道和所述若干第二排气通道的流体连通程度，以调整反应过程中制程冗余气体的排放的速度。进一步地，所述 排气方法包括:调节所述第一排气环和/或第二排气环在竖直方向上的上下高度。进一步地，所述排气方法包括:使所述第一排气环和/或第二排气环在各自平面上旋转或相对旋转。进一步地，所述排气装置还包括一控制装置，其预设有制程冗余气体排放的预设速度和/或预设流量，其中，所述排气方法还包括如下步骤:检测所述反应室的制程冗余气体排放的当前速度和/或当前流量，并将制程冗余气体排放的当前速度和/或当前流量和预设速度和/或预设流量分别比较，并根据比较结果来控制所述第一排气环和第二排气环的相对旋转和/或相对上下移动。本专利技术提供的排气装置能够精确快速有效地控制金属有机化合物外延生长反应室的制程冗余气体排放。【专利附图】【附图说明】图1是根据本专利技术的一个具体实施例的MOCVD机台的结构示意图；图2是根据本专利技术的一个具体实施例的用于MOCVD机台的排气装置的结构细节放大图；图3(a)至3(c)是根据本专利技术的一个具体实施例的用于MOCVD机台的排气装置的第一排气环和第二排气环在自水平面上进行相对旋转的示意图；图4是根据本专利技术的另一具体实施例的用于MOCVD机台的排气装置的第一排气环竖直地上下移动的示意图；图5(a)至5(c)是根据本专利技术的另一具体实施例的用于MOCVD机台的排气装置的第一排气环的第一排气通道和第二排气环的第二排气通道相互重叠的示意图。【具体实施方式】 以下结合附图，对本专利技术的【具体实施方式】进行说明。图1是根据本专利技术的一个具体实施例的MOCVD机台的结构示意图，如图1所示，MOCVD机台100提供了一反应腔室114，在腔室114内设置了一基片支撑座106，其上放置有若干片基片W。基片支撑座106与一旋转轴108连接，该旋转轴108在制程中可以在其他驱动装置(未示出)的带动下高速旋转，因此基片支撑座106也在该旋转轴108的带动下高速旋转。基片支撑座106下还设置有加热装置110，其用于对基片支撑座106上放置的若干基片W进行加热以达到理想的制程温度(>1000°C)。腔室114内还设置有气体分布装置104。气体分布装置104通过相应管道连接有气体源102，使得反应气体可以通过气体源102经过气体分布装置104输送进腔室内部。在腔室114的底部还设置有一排气装置116，其位于腔室104的制程区域P和排气区域E之间，该排气装置116耦合于一排气管道(未示出)，排气通道连接于真空泵112，以进一步地将制程冗余气体排出出腔室114。图2是根据本专利技术的 一个具体实施例用于MOCVD机台的排气装置的结构细节放大图，如图2所示，所述排气装置116包括:第一排气环1161，位于所述第一排气环1161上方的第二排气环1162，其中，所述第一排气环1161和第二排气环1162之间定义了一排气空间S。具体地，第一排气环1161包括形成于其中的若干第一排气通道1161a，若干第一排气通道1161a从第一排气环1161的上表面贯穿至其下表面,其中，该上表面接触于腔室1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于金属有机化合物外延生长反应室的排气装置，其中，所述反应室包括一腔室，所述排气装置位于所述腔室的制程区域和排气区域之间，用于将制程冗余气体排出所述腔室，其特征在于：所述排气装置包括：第一排气环，其包括形成于其中的若干第一排气通道；位于所述第一排气环上方的第二排气环，其包括形成于其中的若干第二排气通道，所述若干第一排气通道与所述若干第二排气通道相互流体连通；以及驱动装置，其连接于所述第一排气环和/或第二排气环，用于驱动所述第一排气环和/或第二排气环，以调整所述第一排气环和第二排气环在水平和/或竖直方向上的相对位置关系。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜志游，姜勇，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：