一种大功耗芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功耗芯片封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有相对的一顶面和一底面；基板的内部为基材，基板表面为刻蚀好的金属线路层，所述金属线路层上还涂覆有阻焊层；芯片，配置于所述基板的顶面上；在芯片的正下方、基板的阻焊层上设有多个绿油开窗，所述绿油开窗区域暴露的金属线路层直接与芯片接触；设于基板上的多个过孔，设于芯片下方；多个散热锡球，配置于基板的底面，所述散热锡球焊接于PCB板；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本实用新型专利技术有着较低工艺复杂度及可观的成本对比优势，与现有的主流键合塑封封装技术相比，对于大功耗封装芯片的散热效果更好，能够显著降低芯片表面结温温差。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种大功耗芯片封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有相对的一顶面和一底面；基板的内部为基材，基板表面为刻蚀好的金属线路层，所述金属线路层上还涂覆有阻焊层；芯片，配置于所述基板的顶面上；在芯片的正下方、基板的阻焊层上设有多个绿油开窗，所述绿油开窗区域暴露的金属线路层直接与芯片接触；设于基板上的多个过孔，设于芯片下方；多个散热锡球，配置于基板的底面，所述散热锡球焊接于PCB板；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆春荣，胡立栋，金若虚，刘鹏，
申请(专利权)人：力成科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：