金属-氧化物-金属电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及金属-氧化物-金属电容器。半导体结构可实现金属-氧化物-金属电容器。当设计规则从一层至下一层改变时，结构可改变电容器的交叉板的方向。例如，当金属化宽度或间隔设计规则从层M3变化至层M4时，相比于M4，该结构可以使得电容器迹线在M3上在不同的方向（例如，垂直于彼此）上延伸。在遵循相同设计规则的层中，例如，层M1、M2以及M3，该结构可以使得电容器迹线在层M1、M2以及M3中在相同的方向上延伸。以这种方式，电容器迹线很大程度地重叠而不会在具有相同设计规则的层上未对准，并且该结构避免了当设计规则变化时电容器迹线的未对准。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属?氧化物?金属电容器，包括：?第一层；?第二层，在所述第一层之上并且与所述第一层绝缘；?所述第一层包括：?第一层金属迹线，根据具有用于所述第一层的第一值的设计参数来定位；?所述第二层包括：?第二层金属迹线，根据所述第二层的设计参数的第二值来定位，所述第二值不同于所述第一值；?并且，其中：?所述第二层金属迹线在与所述第一层金属迹线不同的方向上延伸，所述设计参数包括节距、金属宽度或金属间隔；?第一电极，连接所述第一层金属迹线；以及?第二电极，连接所述第二层金属迹线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张炯，金之杰，伊藤明，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：实用新型
国别省市：