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本实用新型涉及金属-氧化物-金属电容器。半导体结构可实现金属-氧化物-金属电容器。当设计规则从一层至下一层改变时，结构可改变电容器的交叉板的方向。例如，当金属化宽度或间隔设计规则从层M3变化至层M4时，相比于M4，该结构可以使得电容器迹线在...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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