贴合基板及其制造方法技术

本发明专利技术是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，一种硅器件备受关注，所述硅器件是将下述各种传感器和组件等一体化地制作在同一基板上而构成:用于测量由加速度和角速度等所引起的惯性力、压力、及其他各种物理量的各种传感器；硅基板上设置有流道的流体传感器等；及处理高电压、高电流的功率元件。这种传感器等，具有利用微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)技术等，在硅基板上制作而成的悬臂或中空结构的质量体、或在硅基板内制作而成的中空结构等。作为将这种传感器制作在基板上的方法的一例，报告出一种使用绝缘衬底上的硅(Silicon-On-1nsulator, SOI)基板的方法(专利文献I )。在专利文献I中，先准备一种在基底基板上具有绝缘膜，并在该绝缘膜上具有薄膜层的SOI晶片，然后，在SOI晶片的薄膜层表面上制作传感器部即电桥电阻元件、或控制部(互补金属氧化物(Complementary MetalOxide Semiconductor,CMOS)电路)和配线部等。然后，以保护材料(抗蚀剂)覆盖SOI晶片的表面、背面，利用影印石版术(Photolithography)将对应于传感器部的背面部开孔后，通过蚀刻将对应于传感器部的背面硅部分薄膜化。之后，利用贴在玻璃基板上，而完成压力传感器。并且，在将高电压/高电流功率元件制作在基板上的方法中，介绍出以下方法:分别将元件区域分离为施加高电压的部分、与除此以外的部分并配置(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平4-103177号公报专利文献2:日本特开2009-147297号公报专利文献3:日本特开2005-229062号公报专利文献4:日本特开2006-100479号公报非专利文献非专利文献1:《IEICE Transactions on Electron)), Vol.80-C, N0.3 (1997)pp.378-387
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本来，根据形成在薄膜层上的传感元件、高电压/高电流功率元件、及控制部(CMOS电路等)等的种类，所需要的绝缘膜的厚度有所不同。但是，关于具有适合于各个元件的局部膜厚不同的绝缘膜的贴合基板，制作较为困难，如果是通常的贴合基板的制造方法，就只能制作基板内具有均匀绝缘膜的贴合基板。因此，贴合基板的绝缘膜的决定标准为，电路内最需要耐压的部分则需要最厚的膜厚。但是，如果绝缘膜的厚度均匀且较厚，将存在以下问题:当一体化制作传感元件、高电压/高电流功率元件、及控制部(CMOS电路等)等需要不同耐压特性的元件时，制作步骤繁杂，并且各元件的功能受限。因此，期待开发出一种贴合基板的制造方法及贴合基板，所述贴合基板的制造方法能以简单的方法形成局部厚度不同的绝缘膜，而所述贴合基板具有局部厚度不同的绝缘膜。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种贴合基板的制造方法，所述贴合基板的制造方法能以简单的方法制造局部厚度不同的绝缘膜。并且，其目的在于，提供一种贴合基板，所述贴合基板是当一体化制作传感元件、高电压/高电流功率元件、及控制部(CMOS电路等)等需要不同耐压特性的元件时，可以将这些元件分别形成在具有最适合膜厚的绝缘膜的部分上，因此，可以减少制作步骤并制作高性能的元件。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有:多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是通过将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。如果为这种具有多孔质层形成步骤与绝缘膜形成步骤的贴合基板的制造方法，利用绝缘膜相对于基底基板的形成有多孔质层的部分与未形成多孔质层的部分的形成速度的差，由此可以容易形成局部厚度不同的绝缘膜。并且，这样制造的贴合基板在一体化制作传感元件、高电压/高电流功率元件、及控制部(CMOS电路等)等需要不同耐压特性的元件时，可以将这些元件分别形成在具有最适合膜厚的绝缘膜的部分上，因此，可以减少制作步骤并制作高性能的元件。并且优选为，在前述多孔质层形成步骤中，当在前述基底基板的贴合面上形成厚度局部不同的前述多孔质层时，至少，在前述基底基板的贴合面上形成保护膜，并在该保护膜上形成抗蚀剂掩模，将前述保护膜图案成形为前述抗蚀剂掩模的形状，然后去除前述抗蚀剂掩模，在具有前述图案成形而成的保护膜的前述基底基板的贴合面上形成前述多孔质层，由此在前述基底基板的整个贴合面上形成厚度局部不同的前述多孔质层。如果为这种多孔质层形成步骤，由于无保护膜的部分形成较深的多孔质层，有保护膜的部分形成较浅的多孔质层，因此，容易在基底基板的整个贴合面上，形成厚度局部不同的多孔质层，因而优选。并且优选为，在前述多孔质层形成步骤中，当在前述基底基板的贴合面上局部地形成前述多孔质层时，至少，在前述基底基板的贴合面上形成抗蚀剂掩模，并在该基底基板的贴合面上形成多孔质层，然后去除前述抗蚀剂掩模，由此在前述基底基板的贴合面上局部地形成前述多孔质层。如果为这种多孔质层形成步骤，由于有抗蚀剂掩模的部分并未形成多孔质层，因此，容易在基底基板的贴合面上局部地形成前述多孔质层，因而优选。并且优选为，在前述多孔质层形成步骤中，通过对前述基底基板的贴合面进行阳极氧化，而在前述基底基板的贴合面上局部地形成前述多孔质层、或形成厚度局部不同的前述多孔质层。利用这种阳极氧化法，可以容易形成多孔质层，并可以根据基板的用途而容易地控制多孔质层的厚度、孔隙度(porosity)及孔径，因而优选。并且优选为，在前述多孔质层形成步骤中，当在前述基底基板的贴合面上形成厚度局部不同的前述多孔质层时，对前述基底基板的贴合面进行阳极氧化，并去除前述图案成形而成的保护膜。如果为这种多孔质层形成步骤，由于无保护膜的部分形成较深的多孔质层，而有保护膜的部分在利用阳极氧化而被去除之前的期间内并不进行多孔质层的形成，因而形成较浅的多孔质层，因此，容易在基底基板的整个贴合面上，形成厚度局部不同的多孔质层，因而优选。并且优选为,使用娃基板来作为前述基底基板及/或前述结合基板。这样一来，通过使用硅基板来作为基底基板，在多孔质层形成步骤中容易形成多孔质层，并且在绝缘膜形成步骤中容易形成氧化膜作为绝缘膜，因而优选。并且，通过使用硅基板来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大槻刚，曲伟峰，田原史夫，大井裕喜，三谷清，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：
国别省市：