本发明专利技术提供了用于编程相变储存器单元（10）的方法和装置。偏置电压信号（VBL）施加到单元。该偏置电压信号的测量部分（m）具有随着时间变化的轮廓。然后进行依赖于满足预定条件的测量（TM）。预定条件依赖于偏置电压信号的测量部分（m）期间的单元电流。生成依赖于所述测量（TM）的编程信号，并且施加编程信号以编程单元（10）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：A潘塔齐，N帕潘德里奥，C波齐迪斯，A塞巴斯蒂安，U弗雷，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：
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