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相变存储器单元的编程制造技术
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文档序号:9384824
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本发明提供了用于编程相变储存器单元(10)的方法和装置。偏置电压信号(VBL)施加到单元。该偏置电压信号的测量部分(m)具有随着时间变化的轮廓。然后进行依赖于满足预定条件的测量(TM)。预定条件依赖于偏置电压信号的测量部分(m)期间的单元电...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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