3D磁传感器的形成方法技术

一种3D磁传感器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层中的沟槽；形成磁性材料层，磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽底部和侧壁，在磁性材料层上形成TaN层，在TaN层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成填充材料层，填充材料层填充沟槽；在填充材料层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀填充材料层；以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层之前或之后，刻蚀磁性材料层形成磁阻层。本发明专利技术的刻蚀阻挡层阻挡刻蚀所述填充材料层过程中的等离子体对TaN层的轰击，保证3D磁传感器性能良好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种3D磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层，在所述TaN层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成填充材料层，所述填充材料层填充沟槽；在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层；以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊磊，奚裴，张振兴，王健鹏，时廷，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：