3D磁传感器的形成方法技术

一种3D磁传感器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层中的沟槽，沟槽的深度小于绝缘层的厚度；形成磁性材料层，磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在磁性材料层上形成TaN层；在TaN层上形成填充材料层，填充材料层填充满沟槽；在填充材料层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀填充材料层；干法刻蚀去除沉积在图形化的光刻胶层上表面和侧面的Ta基聚合物，Ta基聚合物是在刻蚀填充材料层过程形成；以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀TaN层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层；刻蚀磁性材料层形成磁阻层。去除Ta基聚合物，避免了TaN层表面电阻增大。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种3D磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层；在所述TaN层上形成填充材料层，所述填充材料层填充满沟槽；在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层至TaN层表面停止；使用干法刻蚀去除沉积在图形化的光刻胶层上表面和侧面的Ta基聚合物，所述Ta基聚合物是在等离子体刻蚀所述填充材料层过程中产生；去除所述Ta基聚合物后，以图形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊磊，奚裴，张振兴，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：