先蚀后封三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法技术方案

本发明专利技术涉及一种先蚀后封三维系统级芯片倒装封装结构及其工艺方法，所述结构包括基岛和引脚，所述基岛的正面设置有第一芯片，在所述基岛和引脚的背面通过底部填充胶倒装有第二芯片，所述第一芯片的正面与引脚的正面之间用金属线相连接，在所述引脚正面设置有导电柱子，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及第一芯片、第二芯片、金属线和导电柱子外均包封有塑封料，在所述引脚和导电柱子露出塑封料的表面镀有抗氧化层。本发明专利技术能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种先蚀后封三维系统级芯片倒装封装的工艺方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀微铜层步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层；步骤六、贴光阻膜作业在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，梁新夫，王亚琴，王孙艳，章春燕，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：