先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法技术方案

本发明专利技术涉及一种先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法，所述封装结构包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）正面设置有导电柱子（3），所述基岛（1）正面正装有第一芯片（4），所述导电柱子（3）、第一芯片（4）和第一金属线（5）外围的区域均包封有第一塑封料或环氧树脂（9），所述基岛（1）和引脚（2）背面倒装有第二芯片（7），所述基岛（1）和引脚（2）背面区域以及第二芯片（7）外围的区域均包封有第二塑封料或环氧树脂（10），所述导电柱子（3）上设置有第一金属球（17）。一种先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框或有机基板无法埋入物件而限制整个封装功能集成度以及传统有机基板需要更细线宽与更窄的线与线间距的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面预镀一层铜材；步骤三、贴光阻膜作业在步骤二完成预镀铜材的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行金属线路层电镀的区域；步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板正面形成相应的基岛和引脚；步骤六、贴光阻膜作业在步骤...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，梁新夫，林煜斌，张凯，章春燕，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：