【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体设备，其包含：第一电路组件，其包括包含第一高介电常数介电层的第一电极结构，该第一高介电常数介电层有第一厚度以及包含铪；以及第二电路组件，其包括包含具有铁电性能的第二高介电常数介电层的第二电极结构，该第二高介电常数介电层有第二厚度及包含铪，该第二厚度大于该第一厚度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·施勒塞尔，P·巴尔斯，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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