【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高介电复合材料制备
,尤其涉及一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着电子技术的进步,对电容器的介电性能、储能容量等性能要求越来越高,研制高介电常数、低介电损耗的介质材料就显得尤为重要,传统的薄膜电容器介质材料主要有非极性的聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯以及极性的聚酰亚胺、聚碳酸酯等材料,其中聚酰亚胺具有良好的机械性能和热稳定性、易加工性、与基材相容性好、易成膜等优点,在制备高性能的介电薄膜中表现突出。单纯的聚酰亚胺薄膜介电常数过低,不能满足生产需求,目前常见的用于提高薄膜介电常数的方法主要是使用聚合物中掺混高介电材料的方法,然而这些方法普遍的缺陷表现在膜加工性能变差、介电常数提高的同时介电损耗增大等方面。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜,该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到:均苯四甲酸二酐10-12、4,4,-二氨基二苯基醚8-10、介孔氧化铝1-2、N-乙烯基吡咯烷酮3-5、N,N-二甲基乙酰胺20-25、无水乙醇3-5、硅烷偶联剂0.1-0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4-0.5、多壁碳纳米管1.5-2、聚乙烯醇0.1-0.2、水4-5。所述的一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜的制备方 ...
【技术保护点】
一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到:均苯四甲酸二酐10‑12、4,4,‑二氨基二苯基醚8‑10、介孔氧化铝1‑2、N‑乙烯基吡咯烷酮3‑5、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、无水乙醇3‑5、硅烷偶联剂0.1‑0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4‑0.5、多壁碳纳米管1.5‑2、聚乙烯醇0.1‑0.2、水4‑5。
【技术特征摘要】
1.一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到:均苯四甲酸二酐10-12、4,4,-二氨基二苯基醚8-10、介孔氧化铝1-2、N-乙烯基吡咯烷酮3-5、N,N-二甲基乙酰胺20-25、无水乙醇3-5、硅烷偶联剂0.1-0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4-0.5、多壁碳纳米管1.5-2、聚乙烯醇0.1-0.2、水4-5。
2.如权利要求1所述的一种电容器用掺混介孔氧化铝负载多壁碳纳米管的聚酰亚胺高介电复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述的制备方法为:
(1)表面改性介孔氧化铝负载多壁碳纳米管溶液的制备:先将多壁碳纳米管经酸处理后水洗至中性烘干,再将聚乙烯醇溶解于水配制成溶液,将前面酸处理后的干燥多壁碳纳米管、介孔氧化铝投入溶液中,超声分散20...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐彬,唐发根,
申请(专利权)人:铜陵市胜达电子科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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