非易失性存储元件和非易失性存储装置制造方法及图纸

非易失性存储元件包括第1电极（103）、第2电极（106）、和夹在第1电极（103）和第2电极（106）之间的由金属的氧化物构成的电阻变化层（104），被配置在第1电极（103）上的电阻变化层（104）包括：具有ρx的电阻率的第1氧化物层（104a）；被配置在第1氧化物层（104a）上且具有ρy（其中，ρx＜ρy）的电阻率的第2氧化物层（104b）；被配置在第2氧化物层（104b）上且具有ρz（其中，ρy＜ρz）的电阻率的第3氧化物层（104c）；和在第3氧化物层和第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接地配置，并不与第1氧化物层（104a）接触，电阻率比第3氧化物层（104c）低，且电阻率与第2氧化物层（104b）不同的局部区域（105）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志强，二宫健生，高木刚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
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