检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法技术

一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，去除通孔蚀刻光罩；去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于包括：在硅衬底上实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在硬掩膜蚀刻工艺中，在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中填充与抗反射层相同的材料；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，其中通孔蚀刻光罩的关键尺寸小于硬掩膜蚀...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，龙吟，倪棋梁，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：