【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
在半导体
中，利用刻蚀工艺形成通孔时，会出现通孔刻蚀不足，也就是通孔下方的刻蚀停止层没有完全去除，在刻蚀不足的通孔内填充金属形成插栓时，该插栓不能与下层的导电层连通，从而插栓与导电层之间不能导电，影响产品的性能。图1为形成的通孔的剖面结构示意图，其中，通孔11为正常的通孔，刻蚀停止层13被刻穿，通孔11的底部暴露出导电层14 ；通孔12为刻蚀不足的通孔，刻蚀停止层13没有被刻穿，通孔12的底部暴露出刻蚀停止层13，而非导电层14，刻蚀不足的通孔12会影响最终形成的器件的性能。现有技术中利用电子束缺陷扫描仪(例如，扫描电镜)对通孔的刻蚀不足的缺陷进行检测，其基本原理为具有通孔的晶片在电子束缺陷扫描仪发射的电子束的激发下产生二次电子，产生的二次电子被电子束缺陷扫描仪中的探测器接收，并根据接收到的二次电子显示灰阶图像，根据灰阶图像模拟出灰阶曲线。图2为利用电子束缺陷扫描仪检测出的图1所示的通孔的灰阶曲线示意图，纵坐标为灰阶值，横坐标为位置，曲线21为正常的通孔11对应的灰阶曲线，曲线22为刻蚀不足的通孔12对...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测通孔缺陷的方法，其特征在于，包括提供衬底，所述衬底上形成有导电层，所述导电层上形成有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层上形成有介质层，所述介质层和所述刻蚀停止层中形成有通孔；刻蚀通孔，去除正常的通孔底部的部分导电层，加大正常的通孔和刻蚀不足的通孔之间的高度差；利用电子束轰击所述衬底，模拟出所述衬底在所述电子束轰击下产生的二次电子的灰阶图像，并模拟出所述灰阶图像的灰阶曲线，根据通孔底部的灰阶值判定正常的通孔、刻蚀不足的通孔，其中正常的通孔底部的灰阶值小于刻蚀不足的通孔底部的灰阶值。2.如权利要求1所述的检测通孔缺陷的方法，其特征在于，所述导电层的材料选自多晶硅、Al、Cu、W、Ti、TiN, Ta、TaN, Mg、Fe、Zn、Na、K、Li、Co 其中之一。3.如权利要求2所述的检测通孔缺陷的方法，其特征在于，用干法刻蚀所述通孔，所述干法刻蚀对所述导电层和所述刻蚀停止层或者所述介质层有大于20的刻蚀选择比。4.如权利要求3所述的检测通孔缺陷的方法，其特征在于，所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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