【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种侦测接触孔缺陷的方法。
技术介绍
目前侦测接触孔导通与否的方法,在接触孔内填满金属钨,经过平坦化,然后用电子束扫描的方式,通过接触孔的明暗来判断接触孔的蚀刻工艺是否正常。电子束扫描判断接触孔的最大问题是,从接触孔的形成到电子扫描判断需要的时间太长,需要进行如图1a~1f所示的工艺,首先刻蚀位于硅衬底1之上的介质层2形成接触孔3;其次沉积保护层4并进行刻蚀工艺,使得该保护层4仅覆盖接触孔3的侧壁;再次在于沉积Ti/TiN层5后,继续沉积钨4以充满接触孔3;之后进行CMP工艺以去除位于介质层2之上的Ti/TiN以及钨。这个过程一般需要两天以上的时间,一旦接触孔刻蚀工艺出现问题,就会有大量的产品受到影响,这是本领域技术人员所不期望看到的。
技术实现思路
针对上述存在的问题,本专利技术公开了一种侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,包括:提供一设置有待测PAD和标准PAD的半导体结构,且每个所述PAD上均设置有若干接触孔;对所述待测PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第一高度值,并将所述第一高度值与第一预设值相比较,若所述第一高度值大于所述第一预设值,则判断所述接触孔具有导通缺陷,若所述第一高度值不大于所述第一预设值,则进行步骤S3;对所述标准PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第二高度值,并将所述第一高 ...
【技术保护点】
一种侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:提供一设置有待测PAD和标准PAD的半导体结构,且每个所述PAD上均设置有若干接触孔;对所述待测PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第一高度值,并将所述第一高度值与第一预设值相比较,若所述第一高度值大于所述第一预设值,则判断所述接触孔具有导通缺陷,若所述第一高度值不大于所述第一预设值,则进行步骤S3;对所述标准PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第二高度值,并将所述第一高度值与所述第二高度值相比较,若所述第一高度值与所述第二高度值之差大于第二预设值,则判断所述接触孔具有导通缺陷,若所述第一高度值与所述第二高度值之差不大于所述第二预设值,则判断所述接触孔不具有导通缺陷;其中,根据工艺需求设定所述第一预设值和所述第二预设值,且所述第一预设值大于所述第二预设值。
【技术特征摘要】
1.一种侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一设置有待测PAD和标准PAD的半导体结构,且每个所述
PAD上均设置有若干接触孔;
对所述待测PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第
一高度值,并将所述第一高度值与第一预设值相比较,若所述第一高
度值大于所述第一预设值,则判断所述接触孔具有导通缺陷,若所述
第一高度值不大于所述第一预设值,则进行步骤S3;
对所述标准PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第
二高度值,并将所述第一高度值与所述第二高度值相比较,若所述第
一高度值与所述第二高度值之差大于第二预设值,则判断所述接触孔
具有导通缺陷,若所述第一高度值与所述第二高度值之差不大于所述
第二预设值,则判断所述接触孔不具有导通缺陷;
其中,根据工艺需求设定所述第一预设值和所述第二预设值,且
所述第一预设值大于所述第二预设值。
2.如权利要求1所述的侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,
所述第一预设值为20~30埃。
3.如权利要求1所述的侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,
所述第二预设值为5~15埃。
4.如权利要求1所述的侦测接触孔缺陷的方法,其特征在于,
\t所述方法中,采用光学关键尺寸机台对所述待测PAD的接触孔内的
残留物的高度进行量测以获取所述第一高度值,采用所述光学关键尺
寸机台对所述标准PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取
所述第二高度值。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘藩东,霍宗亮,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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