【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶圆良率分析方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上包括若干个芯片；将各个芯片根据功能划分为多个功能区域；分别对所述各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在所述芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；将所述一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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