计算晶圆表面研磨去除率的方法技术

本发明专利技术提供了一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，该方法包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。本发明专利技术的实施例还可以用晶圆表面的研磨去除率实时的计算晶圆表面形貌。本发明专利技术计算简洁，实现方便，物理意义明确，所得到的物理量能深刻揭示两体接触的内在本质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMP制造工艺和CMP建模
，具体涉及一种新的。
技术介绍
当前,集成电路晶圆尺寸不断扩大，芯片特征尺寸不断减小，45nm工艺节点以下超大规模集成电路可制造性设计(DFM)技术具有了新的特征，化学机械研磨(CMP)作为业界瞩目的全局平坦化技术也展现了新的特点。尽管目前CMP的工艺研究和应用具有了较大发展，但其过程控制仍停留在经验实证阶段，欠缺完整严密的理论基础，人们对诸如研磨参数对平面度的影响、研磨垫-研磨液-晶圆之间的相互作用、研磨液的化学属性对各种参数的影响等机理了解还不够充分。因此，32nm节点以下的CMP研究将针对各种过程参数、研磨界 面间的接触形态(减小外部压力、改进研磨成分、去除研磨粒子、降低刮擦划痕等)及研磨液的流体状况进行深入分析，以便充分了解CMP的研磨机制，不断指导和满足工艺需求。研磨去除率(MRR)作为描述化学机械研磨变化快慢的输出指标在CMP的模型机理分析中具有重要作用，一旦获取MRR，可以进一步将其用于计算研磨晶圆表面的瞬时高度变化，给出晶圆表面的实时轮廓和特征，并可将计算结果用于版图RC-提取等设计流程，因此，关于研磨去除率的研究受到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐勤志，方晶晶，陈岚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：