一种划分高填充率冗余图形的方法技术

本发明专利技术提供一种划分高填充率冗余图形的方法，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本发明专利技术提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计制造
，尤其涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，为了提高化学机械研磨及刻蚀工艺的均一性，通常会在需要化学机械研磨或刻蚀的层中，加入冗余图形，而传统的冗余图形是固定尺寸的矩形或多边形。中国专利CN102468134A披露了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法，包括如下步骤得到芯片制备中某个图层的可填充区域；预设一组图形密度不等的填充图形；等分为多个小块区域，设定在填充后图层的图形密度，小块区域的最小图形密度 值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值；计算上述各小块区域初始的图形密度值；计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值；采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度；对各小块区域中的可填充区域进行填充，使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。这种冗余图形在较小尺寸的空白区域填充率很低或无法填充，从而导致版图局部区域的图形密度或梯度达不到设定目标，最终导致硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性受到影响。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的不足之处，提供，通过该方法确定的冗余本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种划分高填充率冗余图形的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阚欢，张旭昇，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：