【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高晶圆返工优良率的方法，其特征在于，该方法包括：对需要进行光刻返工的晶圆，进行等离子去胶步骤；对完成所述等离子去胶步骤的晶圆进行用于清洗等离子去胶步骤后残留的有机物质的有机清洗步骤；对完成所述有机清洗步骤的晶圆，再进行溶液去胶步骤；对完成所述溶液去胶步骤的晶圆重新进行光刻流程。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈定平，朱爱兵，陈金园，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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