半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明专利技术中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法
本专利技术涉及半导体器件封装
，尤其涉及一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法。
技术介绍
在半导体晶圆级封装或凸点制造时，为了在晶圆表面形成设计凸点的金属线路或金属凸点，需要先在晶圆表面通过物理气相沉积的方法形成一层电镀所需要的金属种子层。然后在金属种子层上通过光刻图形转移方法形成有设计图案的负性光阻，而为了电镀工艺要求需要在这层负性光阻的晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域，同时特别的需要在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻。实现电镀工艺的过程中，渗镀问题增加了电镀治具的预防性维护频率，此外，对半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围的控制不当，易造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况,从而提高了电镀治具的预防性维护频次。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法。本专利技术提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是通过该专利技术的方法在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的半导体晶圆的金属种子层上涂布形成负性光阻的截面图；图3为本专利技术实施例提供的在负性光阻上形成曝光图案以及边缘光阻的截面图；图4为本专利技术实施例提供的对边缘光阻曝光处理的截面图；图5为图4所示结构擦除边缘光阻外侧部分后的截面图；图6为图5所示结构的局部俯视图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。图1为本专利技术实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法的流程图，如图1所示，本专利技术实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法包括以下步骤：S101，在半导体晶圆上形成金属种子层；S102，在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；S103，遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；S104，对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；S105，去除边缘光阻的外侧部分。首先实施步骤S101，在半导体晶圆上形成金属种子层。在半导体晶圆11的表面通过物理气相沉积的方法形成金属种子层。接着实施步骤S102，在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐。在半导体晶圆11的金属种子层上旋转涂布形成负性光阻21，在涂布时注意保持负性光阻21的外圆周面与半导体晶圆11的外圆周面平齐，以防涂布时胶水溢出到晶圆外部。然后实施步骤S103，遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻。在形成负性光阻21的同时在负性光阻21的边缘喷洒有机溶剂，保留有机溶剂，遮挡负性光阻21的边缘，负性光阻21的边缘被遮挡部分形成边缘光阻21a，如图2所示。参见图3，第一光罩装置412为具有选择性空白区域的挡板，在挡板区域上方设置有光源，挡板区域能够覆盖半导体晶圆11除去边缘光阻21的剩余区域，通过第一光罩装置412对负性光阻21遮挡区域外的部分有选择性的曝光，形成曝光图案21b。接下来实施步骤S104，对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理。参见图4，第二光罩装置311为边缘光阻的上方同轴设置两环形挡板，两环形挡板之间形成环形缝隙，两环形挡板的上方设置有紫外线发射器，紫外线发射器发出的紫外光用于透过环形缝隙照射在所述边缘光阻的内侧，以对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理。在对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理之前，对边缘光阻21a内侧的部分进行显影预对准，以半导体晶圆11的中心为轴中心，同轴设置两环形挡板与半导体晶圆11同轴放置，对第二光罩装置311的位置进行精确定位，以方便对边缘光阻21a内侧进行曝光。最后实施步骤S105，去除边缘光阻的外侧部分。参见图5，对步骤S104所形成的结构，通过显影液对其进行显影，使得曝光的地方不溶于显影液，而被光罩装置的挡板遮挡的地方溶于显影液，边缘光阻21a内侧的部分形成电镀液阻挡区21i,擦去边缘光阻21a的外侧部分，去除边缘光阻21a的外侧部分的宽度为1.2～1.6mm，使得电镀液阻挡区21i的外边缘垂直且与半导体晶圆11的平面成直角，边缘光阻21a的外侧形成规则的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域21f，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况，所形成的电镀高度共面性为正负7％。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶C2b不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。参见图6，如图5所示结构的局部俯视图，在径向方向上由外到里依次为:规则的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域21f、没有图案的电镀液阻挡区域21i、含有曝光图案21b的负性光阻21。最后应说明的是：虽然以上已经详细说明了本专利技术及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本专利技术的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本专利技术的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本专利技术的公开内容将容易理解，根据本专利技术可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且所述负性光阻的外周面与所述半导体晶圆的外周面平齐；遮挡所述负性光阻的边缘，并对所述负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除所述边缘光阻的外侧部分。

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且所述负性光阻的外周面与所述半导体晶圆的外周面平齐；遮挡所述负性光阻的边缘，并对所述负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除所述边缘光阻的外侧部分；所述对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施建根，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32