晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置至少包括：清洗容器，具有一晶圆输入口和晶圆输出口；用于传送晶圆的传送装置，设置于所述清洗容器中；用于承载晶圆的至少一个托盘，设置于所述传送装置上；用于清洗晶圆的至少一个清洗槽，设置于所述清洗容器中，所述每一个清洗槽均具有一入口门和一出口门，晶圆在所述传送装置的传送下到达每一个清洗槽并进行清洗。一方面，在清洗容器的内部设置具有入口门和出口门的清洗槽，使晶圆清洗的环境更加封闭，降低晶圆表面受空气污染的程度，提高晶圆良率；另一方面，使用传送装置来传送晶圆到达清洗槽，不需要机械臂在清洗过程中一直夹持着晶圆，降低机械臂夹持晶圆不稳定导致晶圆破片掉片的几率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
本技术涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是非常重要的一道工序。随着CMP在多种应用中使用，如层间介质(ILD)、钨塞制造和双大马士革结构制作，伴随着会产生的大量的玷污物，这些玷污物包括磨料颗粒、被抛光材料带来的任何颗粒以及从磨料中带来化学玷污物，这些颗粒是由于CMP过程中所加的压力而机械性地嵌入晶圆表面，CMP后清洗的重点是去除所有的玷污物，这使得后段工艺的清洗工艺变得更加严格。现有的晶圆清洗装置在清洗时，需要利用机械臂夹持进行过CMP的晶圆，一条机械臂上设有若干个夹具，每一个夹具夹持一片晶圆并将每一片晶圆送进清洗槽，在清洗的过程中，自始至终需要机械臂夹持着晶圆，由于所有晶圆需要机械臂夹持着清洗，所以容易发生抓取不稳定，出现掉片破片的几率很大，300mm的晶圆相对于200mm的晶圆的尺寸更大，则发生掉片破片的风险也更大。另外，现有技术的清洗容器并不是完全封闭的，晶圆在清洗时暴露在空气里，在这种环境中清洗，晶圆表面会被污染，附着许多尘埃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆清洗装置，用于清洗化学机械抛光后的晶圆，其特征在于，所述晶圆清洗装置至少包括：清洗容器，具有一晶圆输入口和晶圆输出口；用于传送晶圆的传送装置，设置于所述清洗容器中；用于承载晶圆的至少一个托盘，设置于所述传送装置上；用于清洗晶圆的至少一个清洗槽，设置于所述清洗容器中，所述每一个清洗槽均具有一入口门和一出口门，晶圆在所述传送装置的传送下到达每一个清洗槽并进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，用于清洗化学机械抛光后的晶圆，其特征在于，所述晶圆清洗装置至少包括: 清洗容器，具有一晶圆输入口和晶圆输出口 ； 用于传送晶圆的传送装置，设置于所述清洗容器中； 用于承载晶圆的至少一个托盘，设置于所述传送装置上； 用于清洗晶圆的至少一个清洗槽，设置于所述清洗容器中，所述每一个清洗槽均具有一入口门和一出口门，晶圆在所述传送装置的传送下到达每一个清洗槽并进行清洗。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于:所述清洗容器分为第一区域和第二区域，所述晶圆输入口设于所述第一区域的顶部，所述清洗槽设于所述第二区域内。3.根据权利要求1或2所述的晶圆清洗装置，其特征在于:所述传送装置为传送皮带，所述传送皮带围成四个顶角具有弧度的矩形，且所述传送皮带一部分处于第一区域、另一部分处于第二区域。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于:所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：