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一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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