一种化合物半导体的金属化结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金属薄膜的总厚度小于2μm；第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150～450℃范围内的金属材料；第二层金属薄膜的材料为激活能在150～500kJ/mol范围内的金属材料；第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。本实用新型专利技术实现了化合物半导体器件的金属化结构既具备良好电学特性，又具备稳定的力学结合强度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于，包括：化合物半导体衬底，以及自化合物半导体衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成化合物半导体的金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，各层金属薄膜的总厚度小于2μm，且所述第三层金属薄膜的厚度大于所述第二层金属薄膜和所述电极层金属薄膜的厚度；所述第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150℃～450℃范围内的金属材料；所述第二层金属薄膜的材料为激活能在150kJ/mol～500kJ/mol范围内的金属材料；所述第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史梦然，赵建忠，曹雪峰，孙浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：实用新型
国别省市：