一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构，属于光电材料新能源技术领域。该铜铟镓硒薄膜电池包括上电极（Ni/Al），透明导电层（ZnO：Al），窗口层（ZnO）,缓冲层（CdS），吸收层（P型CuInGaSe2），背电极（Mo）和衬底（玻璃/不锈钢等）。其透明导电层具有“类金字塔”表面陷光结构，为含Al掺杂ZnO薄膜。本实用新型专利技术所提供的“类金字塔”表面陷光结构，可增大光吸收的表面积，能有效地降低反射率，从而降低光学损失并提高电池转化效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构，包括铜铟镓硒透明导电层，其特征在于：所述导电层具有表面陷光结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洁旻，唐陶，杨晓军，汤勇，袁伟，钟福回，孙超卫，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：实用新型
国别省市：