【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其特征在于，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，徐少颖，李田生，阎长江，李靖，田宗民，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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