薄膜半导体器件及其制造方法技术

技术编号:9202849 阅读:118 留言:0更新日期:2013-09-26 06:44
形成在栅极绝缘膜(3)上的半导体层(4)的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层(4)上的绝缘层(5)具有:配置在比第1接触开口部(8)更靠外侧的位置的第1绝缘层区域(5a)、和配置在比第2接触开口部(9)更靠外侧的位置的第2绝缘层区域(5b)。第1绝缘层区域(5a)配置在栅电极(2)的一端部的上方,第2绝缘层区域(5b)配置在栅电极(2)的另一端部的上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:林宏川岛孝启河内玄士朗
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社松下液晶显示器株式会社
类型:
国别省市:

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