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形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区域（...该专利属于松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社授权不得商用。