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本实用新型公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金属薄膜的总厚度小于...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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