【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，每个发光单元从下至上顺次包括衬底、缓冲层、n型半导体材料、多量子阱发光层、p型半导体材料、电流扩展层和钝化层，覆盖于发光单元除电极外的表面，其特征在于发光单元之间的隔离沟槽填充有绝缘材料，发光单元之间的连接桥位于所述绝缘材料上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄华茂，王洪，蔡鑫，王俊杰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：实用新型
国别省市：
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