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本实用新型提供具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其中，每个发光单元从下至上顺次包括衬底、缓冲层、n型半导体材料、多量子阱发光层、p型半导体材料、电流扩展层和钝化层，覆盖于发光单元除电极外的表面，发光单元之间的隔离沟槽填充有绝缘...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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