【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管装置，包含：至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含：一第一发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、第一主动层与p侧氮化物半导体层；一第二发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、第二主动层与p侧氮化物半导体层；及一超晶格结构，由至少一个第一子层与至少一个第二子层交替堆栈组成，位于所述第一发光二极管的p侧氮化物半导体层与所述第二发光二极管的n侧氮化物半导体层之间，作为隧道结，藉以将所述第一发光二极管与所述第二发光二极管迭加在一起；其中，所述超晶格结构具有一吸收光谱，所述第一主动层具有一第一发射光谱，所述第二主动层具有一第二发射光谱，所述吸收光谱位于所述第一发射光谱与所述第二发射光谱两者之中至少一者的相对短波长侧。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许进恭，张志原，刘恒，赖韦志，
申请(专利权)人：华夏光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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