【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，包括多个发光单元，每个发光单元从下至上依次包括宝石衬底1、缓冲层2、N型层3、量子阱层4、P型层5和ITO层6，每个发光单元还包括P型层上的电极7和N型层上的电极8，相邻发光单元之间的电极通过连接桥9连接，其特征在于每个发光单元还包括覆盖在ITO层上的增透膜10，位于ITO层6上方的增透膜顶面具有圆柱状微结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪，钟炯生，黄华茂，吴跃锋，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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