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本发明属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状微结构的增透膜。本发明能...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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