【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于，具备：沿着第1方向延伸的多个第1布线；沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多个第2布线；存储单元阵列，在所述多个第1布线和所述多个第2布线的各交叉部排列连接在两布线之间的存储单元而成；多个第1伪布线区域，在所述存储单元阵列的周围的周边区域，包括形成在与所述多个第1布线和所述多个第2布线同一层的第1伪布线和第2伪布线；接触部，在所述周边区域，形成为在相对于所述第1方向和所述第2方向垂直的第3方向上延伸；和多个第2伪布线区域，在所述接触部的周围形成，包括形成在与所述第1布线和所述第2布线同一层的第3伪布线和第4伪布线，多个所述第2伪布线区域的面...
【技术特征摘要】
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