一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法技术

本发明专利技术公开的一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法，采用全数字电路的方式对TSV缺陷进行检测，利用数字电路中的反相器的逻辑阈值进行电平检测，不用外接参考电压，与数字电路兼容性强。电路结构简单，用同一套测试电路，通过改变TSV的B端子的电位，就可以检测不同缺陷，可以支持键合前及键合后检测。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法，其特征在于，采用如下电路对硅通孔缺陷进行短路检测或者断路检测：包括测试电路（1）及待测试TSV（2），所述的测试电路（1）包括lacth1锁存器和lacth2锁存器，每个锁存器有两个输入端口、一个输出端口，输入端口分别为时钟端口和数据端口，Lacth1的时钟端口与lacth2的时钟端口接频率相同、相位相反的时钟信号或者接频率相同的不交叠时钟的时钟信号，测试向量通过Lacth1的输入端口输入，lacth1输出同时连接到待测试TSV（2）的A端和lacth2的数据端口，Lacth2的输出端即为检测电路的输出，待测试TSV（2）的B端口为模式设置端口，通过对B端口的电位进行接地或开路的设置，完成检测模式设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余宁梅，胡梦南，王姣，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：