【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种锗纳米管的制备方法,其特征在于一种锗纳米管的制备方法,具体是按照以下步骤进行的:一、选取直径为13mm~25mm、厚度为6μm~11μm,孔径为200nm~3μm的聚碳酸酯多孔膜,采用离子溅射将聚碳酸酯多孔膜的暗面溅射厚度为160nm~500nm的金,制得一端镀金的电沉积锗纳米管的工作电极,并采用导电浆液将工作电极的镀金端贴合在导电基板上;二、在H2O和O2含量均小于1ppm的条件下,将GeCl4加入到离子液体1?甲基?3?乙基咪唑双三氟磺酸胺盐溶剂中,溶解摇匀后静置24h,配制得到浓度为0.01~0.5mol/L的电解液;其中GeCl4的纯度不低于99.99%;三、在H2O和O2含量均小于1ppm的条件下,将银丝作为参比电极、铂片作为对比电极,并将参比电极、对比电极和步骤一得到的工作电极放入步骤二得到的电解液中,控制电压为?2.2~?1.4V,沉积时间为20min~120min,得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜;四、用异丙醇清洗步骤三沉积后的得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜的表面,晾干,再放入二氯甲烷溶液或者三氯甲烷溶液中,溶解时间为30~60min,得到锗纳米管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵九蓬,刘旭松,李垚,刘昕,郝建,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:
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