【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种娃晶铸锭(crystalline silicon ingot)及其制造方法,特别地说，是关于一种利用成核促进颗粒(nucleation promotion particle)让其底部为小尺寸硅晶粒且整体缺陷密度低的硅晶铸锭及其制造方法。
技术介绍
大多数的太阳能电池是吸收太阳光,进而产生光伏效应(photovoltaic effect)。目前太阳能电池的材料大部份都是以硅材为主，主要是因为硅是目前地球上最容易取到的第二多元素，并且其具有材料成本低廉、没有毒性、稳定性高等优点，并且其在半导体上的应用已有深厚的基础。以娃材为主的太阳能电池有单晶娃、多晶娃以及非晶娃二大类。以多晶娃做为太阳能电池的原材，主要是基于成本的考虑，因为相较于现有的拉晶法(Czochralskimethod, CZ method)以及浮动区域法(floating zone method, FZ method)所制造的单晶硅，多晶硅价格相对地便宜许多。在制造太阳能电池上使用的多晶硅，传统上是利用一般铸造工艺来生产。利用铸造工艺来制备多晶硅，进而应用在太阳能电池上是本
的现...
【技术保护点】
一种制造硅晶铸锭的方法，其特征在于，包含下列步骤：铺设多个成核促进颗粒在一模内的底部，所述模本身定义一垂直方向，每一个成核促进颗粒由一主颗粒以及由接合在所述主颗粒表面上的多个次颗粒所构成，所述多个次颗粒的平均粒径小于所述多个主颗粒的平均粒径；安装一硅原料至所述模内，且放置在所述多个成核促进颗粒上；加热所述模，直至所述硅原料全部熔化成一硅熔汤；控制所述硅熔汤的至少一热场参数，致使所述硅熔汤中多个硅晶粒在所述多个成核促进颗粒上成核且沿所述垂直方向成长；以及继续控制所述热场参数，让所述多个硅晶粒继续沿所述垂直方向成长，直到硅熔汤全部凝固从而获得硅晶铸锭。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：倪笙华，萧明恭，林钦山，许松林，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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