一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法技术

一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，涉及一种多晶硅的生长方法，包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“∏”形导电回路；本发明专利技术通过将两根竖硅芯管的上端与横硅芯管或方硅芯或圆硅芯的两边通过可行的搭接方式，获取“∏”形导电回路，实现了增大硅芯表面面积的目的，达到了多晶棒快速生长的诉求。

【技术实现步骤摘要】
—种采用空心硅芯生长多晶硅的方法
本专利技术涉及一种多晶硅的生长方法，具体地说本专利技术涉及。
技术介绍
已知的，在西门子法生产多晶硅的过程中硅芯搭接技术是一项非常重要的技术，它主要应用于多晶硅生产的一个环节、即还原反应过程。所述的还原反应过程的原理是:还原反应是在一个密闭的还 原炉中进行的，在装炉前先在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，也就是行话中的“搭桥”；每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯形成“Π”字形结构；每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上，两个电极分别接直流电源的正负极，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，然后向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，开始进行还原反应；这样，所需的多晶硅就会在硅芯表面生成。以上所述就是硅芯及其搭接技术在多晶硅生产中的应用。在现有的西门子法生产多晶硅的过程中，由于所使用的硅芯直径通常为Φ8πιπι左右的实心硅芯或经过线切割形成的方硅芯，搭接好的硅芯在正常还原反应过程中，生成的娃不断沉积在娃芯表面，娃芯的表面积也越来越大，反应气体分子对沉积面(娃芯表面)的碰撞机会和数量也随之增大，当单位面积的沉积速率不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“∏”形导电回路。

【技术特征摘要】
1.一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“Π”形导电回路。2.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的套管(13)连接，在两底座(5)上部面中部分别设有套管(13)，所述套管(13)的内管壁(15)分别与两根竖硅芯管(3)下部的外缘面插接连接，所述套管(13)的内管壁(15)与竖硅芯管(3)的外缘面紧密配合。3.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)连接，在两底座(5)上部面中部分别设有插柱(4)，插柱⑷分别与两根竖硅芯管(3)的硅芯管孔(6)插接连接，所述插柱⑷的外缘面与竖硅芯管(3)的硅芯管孔(6)壁紧密配合。4.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)与套管(13)之间间隙连接，在两底座(5)上部面中部分别设有插柱(4)，插柱(4)外部的底座(5)上间隔设有套管(13)，所述两根竖硅芯管(3)下部的插入插柱(4)与套管(13)之间的间隙内形成插接连接，所述竖硅芯管(3)的外缘面或硅芯管孔(6)与插柱(4)的外缘面或套管(13)的管壁(15)紧密配合。5.根据权利要求3或4所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:在插柱(4)的上端设有尖头(11)或圆锥台(14)。6.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是:两根竖硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝轩，王晨光，
申请(专利权)人：洛阳金诺机械工程有限公司，
类型：发明
国别省市：