廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法技术

一种廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。本发明专利技术具有制作工艺简单，价格便宜，易于实现产业化生产与应用的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别涉及了一种。
技术介绍
材料尺寸降到纳米范围后将显示诸多特异性质，成为近年来的研究热点。作为纳米材料家族的一员，娃基纳米线材料显示了其在纳米电子学、清洁能源以及传感器领域的广阔的应用前景(Nature Nanotechnol.3,31,2008 ；Nano Lett.8, 307, 2008 ；Nature, 451,163，2008 ；Nature 449，885，2007 ；Nano Lett.4，245，2004)，发展廉价、高质量硅基纳米线意义深远。目前Si基纳米线结构多通过金催化CVD方法(Science，293，1289，2001 ；.Nature440,69,2006 ；Science 313，1100，2006)以及金属催化化学腐蚀方法(Angew.Chem.，Int.Ed.44，2737，2005)制备。前者制备的纳米线短、产率低，而且会引入重金属，限制了其应用。金属催化化学腐蚀方法工艺简单，无需大型设备。该法最早为清华大学学者发现，其制备出的硅纳米线具有面积大、晶相一致、单晶性好、掺杂浓度可控、银催化剂可以用化学方法去除，不会产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一粉末多晶硅基材料；步骤2：采用稀释氢氟酸，漂洗粉末多晶硅基材料；步骤3：将漂洗过的粉末多晶硅基材料置于腐蚀液中，进行腐蚀，形成粉末多晶硅基纳米线；步骤4：对粉末多晶硅基纳米线进行分离、清洗；步骤5：将分离、清洗过的粉末多晶硅基纳米线转移到浓硝酸溶液中，去除粉末多晶硅基材料上的金属催化剂；步骤6：清洗，自然晾干，完成制备。

【技术特征摘要】
1.一种廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，包括如下步骤: 步骤1:取一粉末多晶娃基材料； 步骤2:采用稀释氢氟酸，漂洗粉末多晶硅基材料； 步骤3:将漂洗过的粉末多晶硅基材料置于腐蚀液中，进行腐蚀，形成粉末多晶硅基纳米线； 步骤4:对粉末多晶硅基纳米线进行分离、清洗； 步骤5:将分离、清洗过的粉末多晶硅基纳米线转移到浓硝酸溶液中，去除粉末多晶硅基材料上的金属催化剂； 步骤6:清洗，自然晾干，完成制备。2.根据权利要求1所述的廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李传波，张春倩，薛春来，成步文，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：