【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单晶炉的石英坩埚，属于单晶硅生产设备
技术介绍
单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，目前被广泛用于半导体器件以及太阳能电池的制造。现有的单晶硅制造设备为单晶炉，其主要包括炉底、上炉体、下炉体、炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成，其中下炉体中存放有石英坩埚，硅液在石英坩埚中开始结晶。然而目前的单晶炉的石英坩埚直接与硅液接触，容易对硅液产生污染，从而影响单晶硅晶棒的质量，并且石英坩埚也容易受腐蚀，缩短了其使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种能够防止硅液在结晶过程中受到污染，并且有效提高了石英坩埚的使用寿命的单晶炉的石英坩埚。本专利技术的目的是这样实现的: 本专利技术单晶炉的石英坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体内壁上涂覆有氮化硅层。本专利技术单晶炉的石英坩埚， 与现有技术相比，本专利技术的有益效果是:本专利技术单晶炉的石英坩埚，坩埚本体内壁上涂覆有氮化硅层，能够有效防止硅液结晶过程中受到污染，同时 也使得石英坩埚的内壁不易受到腐蚀，提高了石英坩埚的使用寿命。附图说明图1为本专利技术单晶炉的石...
【技术保护点】
一种单晶炉的石英坩埚，其特征在于：它包括坩埚本体（1），所述坩埚本体（1）内壁上涂覆有氮化硅层（2）。
【技术特征摘要】
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