单晶炉的热场制造技术

本发明专利技术涉及一种单晶炉的热场，其特征在于：它包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有保温筒（2），炉体（1）与保温筒（2）之间设置有保温毡（3），所述炉体（1）内部设有坩埚托盘（4），所述坩埚托盘（4）内设有石墨坩埚（6），所述石墨坩埚（6）内设有石英坩埚（7），所述石英坩埚（7）外侧设有加热器（8），所述炉体（1）下部的两侧设置有真空抽口（5），所述真空抽口（5）穿过炉体（1）、保温毡（3）和保温筒（2），并与保温筒（3）和加热器（4）之间的内腔相连通。这种单晶炉的热场能够及时地通过真空抽口将一氧化碳以及热量排除炉体外，提高了单晶硅结晶的速度，并且提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶炉的热场，属于单晶硅的生产制造设备领域。
技术介绍
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种:区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于石英坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。单晶硅晶体从溶液中生长结晶时会释放出热量和一氧化碳气体，这些热量和一氧化碳气体会减慢硅单晶的结晶速度，影响单晶硅的生产效率。然而目前的单晶炉的热场均未设置排气系统，导致热量无法迅速散出，从而影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种可以将热量和气体及时排出，保证单晶硅生产效率的单晶炉的热场。本专利技术的目的是这样实现的: 本专利技术单晶炉的热场，包括炉体，所述炉体内设置有保温筒，炉体与保温筒之间设置有保温毡，所述炉体内部设有坩埚托盘，所述坩埚托盘底部通过坩埚轴与炉体底部相固定，所述坩埚托盘内设有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，所述石英坩埚外侧设有加热器，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉的热场，其特征在于：它包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有保温筒（2），炉体（1）与保温筒（2）之间设置有保温毡（3），所述炉体（1）内部设有坩埚托盘（4），所述坩埚托盘（4）底部通过坩埚轴（5）与炉体（1）底部相固定，所述坩埚托盘（4）内设有石墨坩埚（6），所述石墨坩埚（6）内设有石英坩埚（7），所述石英坩埚（7）外侧设有加热器（8），所述加热器（8）通过加热电极（9）固定在炉体（1）底部，所述炉体（1）下部的两侧设置有真空抽口（5），所述真空抽口（5）穿过炉体（1）、保温毡（3）和保温筒（2），并与保温筒（3）和加热器（4）之间的内腔相连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤仁兴，
申请(专利权)人：汤仁兴，
类型：发明
国别省市：