半导体装置制造方法及图纸

技术编号:8983459 阅读:168 留言:0更新日期:2013-08-01 02:19
本说明书所公开的半导体装置具有:半导体基板,其具有形成有半导体元件的元件区域;表面电极,其被形成于半导体基板的元件区域的表面上。表面电极具备第一厚度区域、和与第一厚度区域相比较厚的第二厚度区域,键合线被接合于第二厚度区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书所记载的技术涉及一种半导体装置
技术介绍
为了对被形成于半导体基板的表面上的表面电极和外部端子进行电连接,而在表面电极的表面上键合接合有键合线。由于在表面电极的键合接合部分处对键合线进行键合接合时所产生的应力,从而位于键合接合部分的下方的表面电极或半导体基板有时会发生破损。为了防止由在键合接合部分处所产生的应力而引起的表面电极或半导体基板的破损,例如,在日本特许公开公报平7-201908号(专利文献I)中,使形成有半导体元件的元件区域、和未形成有半导体元件的虚设元件区域并存,并将键合线接合于被形成在虚设元件区域的表面上的部分的表面电极上。由此,抑制了元件区域发生破损的情况。此外,在日本特许公开公报2002-222826号(专利文献2)中,增厚表面电极整体的厚度,从而缓和在键合接合部分处产生的应力。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平7-201908号公报专利文献2:日本特开2002-222826号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题当如日本特许公开公报平7-201908号那样,为了进行键合接合而设置虚设元件区域时,元件区域相对于半导体基板的基板面积的比例将减小,从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:田中宏明
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社
类型:
国别省市:

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