【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书所记载的技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
为了对被形成于半导体基板的表面上的表面电极和外部端子进行电连接,而在表面电极的表面上键合接合有键合线。由于在表面电极的键合接合部分处对键合线进行键合接合时所产生的应力,从而位于键合接合部分的下方的表面电极或半导体基板有时会发生破损。为了防止由在键合接合部分处所产生的应力而引起的表面电极或半导体基板的破损,例如,在日本特许公开公报平7-201908号(专利文献I)中,使形成有半导体元件的元件区域、和未形成有半导体元件的虚设元件区域并存,并将键合线接合于被形成在虚设元件区域的表面上的部分的表面电极上。由此,抑制了元件区域发生破损的情况。此外,在日本特许公开公报2002-222826号(专利文献2)中,增厚表面电极整体的厚度,从而缓和在键合接合部分处产生的应力。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平7-201908号公报专利文献2:日本特开2002-222826号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题当如日本特许公开公报平7-201908号那样,为了进行键合接合而设置虚设元件区域时,元件区域相对于半导体基板的基板 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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