通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法技术

本发明专利技术涉及一种通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法，该方法的具体步骤为：在清洗干净的芯片上生长碳纳米管凸点；对步骤a所得碳纳米管凸点进行致密化处理；在步骤b所得碳纳米管凸点表面依次溅射Ti层和Au层，其中Ti层的厚度为20~50纳米，Au层的厚度为100纳米左右；将导电胶均匀的涂抹在ITO焊盘上，然后将步骤c所得ITO玻璃基板倒装在ITO焊盘上，键合压力根据凸点数目和尺寸确定（如实施例1中的键合压力可以在10~20N内），键合温度和保持时间根据所选导电胶的型号确定。本发明专利技术应用于玻璃覆晶封装（chip?on?glass,COG）中，使COG封装具有更强的电互联和机械互联。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种玻璃覆晶封装的方法，特别是一种。
技术介绍
移动电子产品和大屏幕显示器的普及，推动了低成本、高密度与海量化电子生产技术的快速发展。大尺寸电子产品如液晶显示器、液晶电视、等离子电视，中小尺寸电子产品如手机、数码相机、数码摄像机以及其它3C产品等都是以轻薄短小为发展趋势的，这就要求必需有高密度、小体积、能自由安装的新一代封装技术来满足以上需求。而玻璃覆晶封装正是在这样的背景下迅速发展壮大，成为液晶、等离子等平板显示器的驱动芯片的一种主要封装形式，进而成为这些显示模组的重要组成部分。同时，配合导电胶封装技术，其应用领域正在迅速扩大，在无线射频识别、医疗电子器械、移动个人电子产品和其他微型电子产品中均得到了应用。在硅芯片上制作金凸点的方法有电镀法和钉头法等。由于电镀法制作的金凸点具有I/o端数多和尺寸小等优点，因此电镀法制作的金凸点广泛应用于玻璃覆晶封装互联中。但电镀法制作金凸点时需要派射凸点下金属(under bump metallization, UBM)作为电镀的种子层，其制作工艺复杂，而且金的价格较高，因此采用金凸点的成本较高。碳纳米管(Carbon Nanotu本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.???????在清洗干净的芯片上制备碳纳米管凸点；b.??????对步骤a所制备的碳纳米管凸点进行致密化处理；c.???????在步骤c所得的碳纳米管凸点表面依次溅射厚度为20~50纳米的钛层和90~110纳米的金层；d.???将导电胶均匀的涂膜在ITO焊盘上，然后将步骤c所得的制备有碳纳米管凸点的芯片倒装在ITO玻璃基板上。

【技术特征摘要】
1.一种通过碳纳米管凸点实现玻璃覆晶封装的方法，其特征在于该方法的具体步骤为: a.在清洗干净的芯片上制备碳纳米管凸点； b.对步骤a所制备的碳纳米管凸点进行致密化处理； c.在步骤c所得的碳纳米管凸点表面依次溅射厚度为2(T50纳米的钛层和9(T110纳米的金层； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建影，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：